«Физика полупроводников и полупроводниковых приборов»
Номер страницы: 1
Элементов в секции (nElements): 5
Страниц в навигаторе (nPages): 1
Элементов в секции (nElements): 5
Страниц в навигаторе (nPages): 1
В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсоновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активационной при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания. В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метод вычисления электропроводности сильно неоднородных сред. Систематически излагается теория прыжковой проводимости, постр...
23.64M, РУС.
Описываются физико-химические, оптические и электрические свойства кристаллов окислов щелочноземельных металлов (СаО, SrO, ВаО). Рассматриваются свойства поликристаллических пористых оксидных покрытий катодов электровакуумных приборов: электропроводность в слабых и сильных электрических полях, контактные сопротивления, теплопроводность и распределение температуры в разных режимах, излучательная способность, вторичная эмиссия и т. п. Основное внимание уделяется особенностям термоэлектронной эмиссии реальных оксидных катодов в разных режимах работы. Обсуждаются физические явления при активировании и отравлении оксидных катодов. Рассматриваются пленки окислов и распределительные катоды. Кратко излагаются основные сведения по физике полупроводников, необходимые для понимания физических процесс...
24.38M, РУС.
В монографии рассматриваются процессы генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниках. Основное внимание уделено рассмотрению процессов рекомбинации через локальные центры, прилипания, диффузии и дрейфа неравновесных носителей тока в электрическом и магнитном полях и в связи с этим описанию явлений фотопроводимости (собственной и примесной), фотоэлектродвижущих сил, а также методов экспериментального исследования кинетики фотоэлектрических процессов. Книга рассчитана на физиков и инженеров, занимающихся полупроводниками.
9.57M, РУС.
Книга посвящена терморезисторам - полупроводниковым резисторам с сильной зависимостью величины сопротивления от температуры. В ее первой части обсуждаются электрические свойства и кристаллическая структура ряда окислов переходных металлов, а также физические и физикохимические основы технологии изготовления различных типов терморезисторов. Во второй части рассматриваются основные параметры, характеристики и конструкции современных промышленных типов терморезисторов с отрицательным и положительным температурным коэффициентом сопротивления, а также примеры их практического использования.
10.56M, РУС.
Изложены физические основы новых перспективных элементов микроэлектроники и оптоэлектроники - полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Приведены результаты теоретического анализа и экспериментального исследования статических, динамических, фотоэлектрических, шумовых характеристик этих приборов. Рассмотрена зависимость основных параметров приборов с зарядовой связью от электрофизических свойств исходного полупроводникового материала. Проведена оценка предельных возможностей нового направления интегральной электроники, в основе которого лежит использование полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Для физиков и инженеров, занимающихся исследованием, разработкой, применением полупроводников и полупроводниковых приборов, а также для студентов старших курсов.
36.75M, РУС.